MKS 979B-01-0013 | 高精度电容薄膜真空规控制器 | 半导体工艺可靠性解决方案

  • 型号979B-01-0013
  • 品牌: MKS Instruments
  • 核心功能: 数字式电容薄膜真空规(Capacitance Manometer)控制器,用于驱动和读取 Baratron® 系列高精度压力传感器,适用于半导体、平板显示及真空镀膜等严苛工艺环境
  • 质保标准: 12个月质保,经满量程压力响应、零点漂移及通信功能测试
分类: SKU: MKS 979B-01-0013

描述

关键技术规格

  • 产品型号979B-01-0013
  • 制造商: MKS Instruments
  • 所属系统: MKS Baratron® 电容薄膜真空测量平台
  • 兼容传感器: 支持 MKS 627B、628B、629B 等系列电容薄膜规(Capacitance Manometer)
  • 压力范围: 依所配传感器而定(典型:0–10 Torr, 0–100 Torr, 0–1000 Torr 等)
  • 测量精度: ±0.25% of reading(典型值,优于传统热偶或皮拉尼规)
  • 输出信号:
    • 模拟输出:0–10 VDC 或 4–20 mA(可配置)
    • 数字通信:RS-232 / RS-485(Modbus RTU 协议)
  • 供电要求: 24 VDC ±10%,最大功耗 15 W
  • 工作温度: 10°C 至 +50°C(环境),传感器可耐受更高过程温度(依型号)
  • 防护等级: IP20(适用于设备内部安装)
  • 认证标准: CE, RoHS, FCC Part 15

功能定位与应用场景分析

MKS 979B-01-0013 并非通用压力变送器,而是专为高纯度、高稳定性真空工艺设计的精密测量前端。它作为 MKS Baratron® 电容薄膜规的专用驱动与信号处理单元,通过测量传感器内部金属膜片因压力差产生的微小位移(电容变化),实现对绝对压力的直接、无介质依赖的测量——这意味着其读数不受气体种类影响,是半导体刻蚀、CVD、PVD 等关键制程中不可或缺的“工艺眼睛”。

在先进制程中,腔室压力波动超过 ±1% 就可能导致薄膜厚度不均或刻蚀速率失控。979B-01-0013 凭借其 ±0.25% 的高精度和优异的长期稳定性(年漂移 <0.5%),确保工艺窗口始终受控。其数字通信能力(Modbus RTU)也便于集成到工厂自动化系统(如 SECS/GEM),实现远程监控与数据追溯。对于追求良率与重复性的晶圆厂或面板制造商而言,该控制器是保障工艺一致性的底层基石。

  • 场景一:在 300mm 晶圆刻蚀机中,配合 0–10 Torr 电容规实时监控反应腔压力,确保等离子体密度稳定
  • 场景二:用于 OLED 蒸镀设备,精确控制多源共蒸过程中的分压,提升发光层均匀性
  • 场景三:在光伏 PECVD 设备中,作为关键反馈信号源,参与闭环压力调节以优化氮化硅薄膜折射率
  • 场景四:用于老旧设备升级,替代模拟式控制器,提升测量精度并增加数字通信能力

质量标准与测试流程

在纳米级制造中,一个压力读数的偏差可能造成整批晶圆报废。因此,每台 MKS 979B-01-0013 均经过严格的功能与精度验证:

  • 外观与清洁:检查外壳无损伤,DB15 传感器接口无氧化,端子排紧固;在洁净环境下确认内部无焊渣或异物。
  • 上机实测:连接匹配的 Baratron® 传感器(如 627B-10T),接入高精度压力标准源(如 MKS 697B),在全量程范围内进行 5 点校准验证,确认输出误差 ≤±0.3%。
  • 功能诊断:分别测试 0–10 V、4–20 mA 模拟输出及 Modbus RTU 通信(读取压力寄存器 40001),模拟断线、超量程等故障,验证报警输出与状态指示是否正确。
  • 质保承诺:仅当通过全部精度、通信及稳定性测试后,才附带《压力测量校准验证报告》出库,并提供 12 个月质保,覆盖元器件缺陷与功能性漂移。

兼容性与升级路径

MKS 979B-01-0013 的性能高度依赖与传感器的精确匹配,请务必核对以下关键点:

  • 硬件/固件:该控制器必须与指定型号的 Baratron® 电容规配对使用(如 627B-10T)。不同量程或系列的传感器具有不同的电气参数,混用将导致读数错误。
  • 配套组件:传感器电缆长度建议 ≤10 米;若需更长距离,应使用屏蔽双绞线并避免与动力线平行走线。模拟输出负载阻抗需符合规格(如 4–20 mA ≤500 Ω)。
  • 替代关系:若需 EtherNet/IP 或 Profibus 接口,可考虑 MKS 989B 系列;若为低成本应用且精度要求较低,可评估热偶规方案。979B-01-0013 的核心优势在于高精度、气体无关性与半导体行业成熟验证。